從事氮化鎵HEMT芯片技術的開發(fā)，實現(xiàn)新型的氮化鎵器件。
職責描述：
1. 負責氮化鎵器件設計、仿真和制程工藝研發(fā)；
2. 氮化鎵器件測試、封裝應用及可靠性研究；
3. 器件性能及工藝穩(wěn)定性持續(xù)提升；
4. 設計硅基氮化鎵器件的結(jié)構(gòu)和工藝流程；
5. 測試與工藝數(shù)據(jù)分析，確保開發(fā)的工藝流程的可靠性與重復性；
6. 與應用工程師相配合，了解應用與客戶需求，并對器件做相應的改進。
7. 參與GaN器件工藝平臺的開發(fā)；
8. 具備解決GaN器件參數(shù)優(yōu)化及器件可靠性提升的能力；
任職要求：
1. 電子科學與技術、電磁場與微波技術和微電子等相關專業(yè)
2. 熟練掌握器件測試儀器操作，包括矢量網(wǎng)絡分析儀，半導體參數(shù)分析儀等
3. 掌握多種工藝不同類型器件建模，熟練掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者優(yōu)先
4. 具有較強的邏輯思維能力和學習能力
5. 會SILVACO，TCAD模擬者優(yōu)先；
6. 碩士及以上學歷