崗位職責(zé):
1.負(fù)責(zé)新型存儲芯片的器件工藝研發(fā);
2.定制薄膜工藝、光刻工藝相關(guān)參數(shù);
3.解決流片中可能存在的問題;
4.負(fù)責(zé)申請MRAM芯片相關(guān)專利;
5.負(fù)責(zé)儀器日常維護。
任職要求:
1.具有碩士研究生及以上學(xué)歷,優(yōu)秀應(yīng)屆畢業(yè)生可考慮;
2.具有物理、微電子、材料、集成電路等相關(guān)專業(yè)背景;
3.熟悉微納加工流程,具備操作經(jīng)驗;
4.具有較強的分析能力,善于動手解決問題;
5.掌握半導(dǎo)體器件制備工藝(光刻、刻蝕、薄膜生長等)、表征手段;
6.熟悉PLD,磁控濺射等薄膜工藝優(yōu)先;
7.擁有磁性薄膜、二維材料薄膜加工經(jīng)歷優(yōu)先;
8.熟悉光刻工藝,有成功流片經(jīng)歷優(yōu)先;
9.具有大學(xué)英語六級證書優(yōu)先。