北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學(xué)研合作平臺，研究院聚焦國際先進(jìn)的存儲器技術(shù)研發(fā)和高端人才培養(yǎng)，致力于實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術(shù)的持續(xù)迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術(shù)創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術(shù)的尺寸微縮，在DRAM新架構(gòu)、新材料、新工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)光刻技術(shù)、近存計(jì)算和高帶寬存儲等領(lǐng)域，對未來DRAM量產(chǎn)技術(shù)可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設(shè)計(jì)-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項(xiàng)目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、銦鎵鋅氧場效應(yīng)晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結(jié)構(gòu)的存儲器制造技術(shù)；基于混合鍵合技術(shù)的高帶寬存儲器芯片和近存計(jì)算、存內(nèi)計(jì)算等芯片的設(shè)計(jì)和制造；以及先進(jìn)DRAM制造中的關(guān)鍵光刻技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)方法學(xué)研究等。研究院擁有12英寸先進(jìn)DRAM研發(fā)所需的硬件條件，包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎(chǔ)工藝和一系列由特種裝備構(gòu)成的短流程特色工藝；設(shè)計(jì)制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。研究院與清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所等國內(nèi)外領(lǐng)先的高校院所和集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系，開展基于項(xiàng)目的研發(fā)合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作，為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實(shí)訓(xùn)平臺。