崗位職責：1. 負責III-V族半導體器件的UHV-MBE外延生長。通過對MBE的工藝和器件結構的優(yōu)化，研發(fā)出具有性能和成本競爭力的半導體激光器以及其它器件。2. 圍繞研發(fā)產品建立外延生產質量控制系統(tǒng)。解決延發(fā)和生產中的問題，不斷地提高外延生產的成品率及設備的利用率。3. 負責外延材料的分析，包括RHEED，TEM，XRD，AFM，PL，SIMS ，ECV，SEM等等。4. 培訓和指導技術工人和工程師進行外延生產和研發(fā)工作。5. 支持外延部門的安全生產運行。6. 負責公司研發(fā)項目的申請及管理，包括設計實驗，分析數據、控制項目進程，總結和匯報結果，并按需要撰寫文章、專利及項目結題報告。任職要求：1. 博士學位（材料，物理，電子），或碩士學位的，具有熟練經驗者優(yōu)先。2. 熟悉III-V半導體器件設計，在化合物半導體的生長和結構表征方面具有深刻理解和經驗。3. 精通或熟悉RHEED，TEM，XRD，AFM，PL，SIMS ，ECV，SEM測試中的一種或多種材料分析技術。4. 熟悉MBE設備和UHV系統(tǒng)，能夠解決、提升和改造設備。4. 熟練使用各類數據統(tǒng)計、分析軟件，熟悉DOE分析，較高的工程交流技能，能夠與團隊高效合作，具有適應靈活的工作時間的能力。5. 有III-V半導體器件研發(fā)相關經驗優(yōu)先，有半導體激光器件經驗者優(yōu)先。


職位福利：績效獎金、大牛帶隊、帶團隊、餐補、帶薪年假、公費差旅、員工食堂